报告名称：超低功耗集成电路器件技术发展与展望

报 告 人：毛维教授

报告时间：2020年12月1日14：00

报告地点：B5-204

报告人介绍：

毛维，男，教授，硕士生、博士生导师，微电子学与固体电子学博士，宽禁带半导体材料教育部重点实验室、宽禁带半导体国家工程研究中心团队主要成员，IEEE会员。长期从事新型半导体器件与集成电路设计、智能感知器件与芯片设计研究，主持国家自然科学基金、重点研发计划、基础科研计划等项目，作为主要人员参与了国家重大科技专项、国家973计划、预先研究等多个项目。获陕西省科学技术一等奖2项，2018年获国家技术发明二等奖；发表SCI检索论文30余篇；获得授权国家发明专利40余项，实现专利转让7项。

报告简介：

随着集成电路发展进入后摩尔时代，半导体器件尺寸已跨入纳米尺度，传统MOSFETs器件弊端所导致的高功耗问题日益突出，无法持续满足高性能超低功耗集成电路芯片发展的需求。“功耗限制”问题已经成为制约集成电路发展的瓶颈问题，也成为限制微电子技术进步的一大时代性问题。而大力研发高性能、超低功耗的半导体器件是解决这一问题的关键途径之一。

针对上述问题，报告论述了当前超低功耗集成电路器件技术的发展动态与前沿技术，介绍了纳米级集成电路芯片低功耗设计方法、MOSFETs发展历程与演变、后摩尔时代重要候选器件等，重点对基于量子隧穿机制的超低功耗半导体器件——隧穿场效应晶体管(TFETs)的发展动态、结构创新进行了论述，并指出了未来高性能TFETs器件发展的关键问题、技术途径与发展思路。